Proceso de fabricación de película anti reflexiva ukaxa 1.1.

Proceso Tecnológico ukaxa 1.1.
Materiales de crecimiento ukatxa gases ukanaka churaña: Película anti reflectante ukatakixa materiales de crecimiento ukanaka churaña, kunjamatixa SIO ukaxa yaqhipa lurawinakaxa, ukatxa gases fuentes ukanakaxa materiales de crecimiento ukanakampi chikachasiñawa, kunjamatixa SIH ₄, n 2 o, ukhamaraki n 2 combinaciones de fuentes de gas ukanakaxa..
Formation of anti reflection layer: Use the same growth material to sequentially form at least two anti reflection layers of anti reflection film on the substrate layer. The substrate layer can include SiO layer, Si layer, and absorption layer in sequence along the direction of film growth. Taking the two-layer anti reflection layer (first anti reflection layer and second anti reflection layer) as an example, it is formed by epitaxial growth process (such as plasma Método de deposición de vapor química ch’amanchata PECVD). Uka específicos pasos ukaxa akhamawa:
Procesamiento de sustrato: Proceso de limpieza de semiconductor ukxaru capa de sustrato ukxaruxa, capa de sustrato ukaxa CVD deposición equipo ukaru uchañawa. .
Equipo Parámetro Configuración: Control de electrodo superior ukaxa CVD deposición uka equipo ukarux 200-300 grado ukata jisk’a electrodo temperatura 250-350 grado ..
Growth of the first anti reflection layer: Adjust the first deposition parameters of the CVD deposition equipment, including the first volume flow rate of SiH ₄, N ₂ O, and N ₂, the first gas pressure, the first RF power of the CVD deposition equipment, the first thin film deposition time, etc., or any combination thereof, to grow the first anti reflection layer with a thickness range of 10-200nm and a refractive index range ukat 1.4-1.71..
Jiltawi payïri capa anti reflexión: Ajustar la segunda parámetros de deposición CVD equipo de deposición, ukaxa payïri caudal de flujo de volumen de SIH ₄, n 2 o, ukhamaraki n 2, payïri presión de gas, payïri ch’ama RF de equipo de deposición CVD, ukaxa payïri tiempo de deposición de película fina, etc}, jan ukaxa mä combinación de primer anti, ukaxa mä combinación de primer anti. ukat mä índice de refracción ukan 1.4-1.71. .

Tecnología ukan ventajanakapa .
Uka pachpa material de crecimiento apnaqasa, película anti reflexión ukaxa pachpa efecto anti reflexión ukaru purispawa películas anti reflexión apiladas ukanakampi kunaymana materiales ukanakampi, jisk’achañataki kunaymana gases ukanaka apnaqata, jisk’achañataki ch’amt’awi wakicht’añataki, ukhamaraki jilxatayañataki espacio de preparación ukhamaraki área de trabajo kunatixa imañataki ukhamaraki apnaqañataki gases de gas ukanakaxa wakicht’añataki.

Proceso de fabricación de SIO híbrido 2/TiO 2 ukaxa película anti reflectiva .

Proceso Tecnológico ukaxa 1.1.
Sustrato wakicht’aña: Sustratos transparentes ukanaka ajlliñawa kunjamatixa vidrio, vidrio orgánico, película de poliimida, etc., ukatxa lurañawa mancha apsuña qullaña ukhamata mä q’uma ukhamaraki laq’a uraqiru uchaña. wakisispa ukhaxa, mä lado jan ukaxa doble lado pulido ukaxa lurasirakispawa eficiencia de transmisión de luz.
Precursor de película: Tetraetoxisilano (TEOs) ukatxa titanato de tetrabutil (TBT) ukaxa etanol ukampi apthapitawa NH ₄ OH ukampi mä juk’a proporción ukanxa, ukatxa reacción ukaxa 9-12 horas ukatakixa mä sistema de sol - gel transparente..
Revestimiento y Curado: Aka sistema de gel de sol wakicht’ataxa mä khuskhakiwa sustrato transparente uksanxa, ukatxa revestimiento espinal, spray, cepillo ukatxa yaqha esquemas ukaxa apnaqatarakiwa. ukxaruxa revestimiento ukxaruxa, Sio Híbrido 2 2/TiO 2 Precursor de película ukaxa mä horno ukanxa uskt’atawa tratamiento de curado ukhamaraki recocido, formar una estructura multi--2}
Revestimiento circular: Revestimiento ukatxa proceso de curado ukaxa repetición de efecto anti reflectante munata . kunaymana tiempos de revestimiento ukatxa secuencias ukanakaxa películas anti reflexivas ukanakana lurawiparuxa afectarakiniwa, ukatxa yatxatawi ukhamaraki optimización ukaxa wakisiwa..
Tratamiento superficial: Película anti reflectante ukan durabilidad ukhamaraki estabilidad ukanaka jilxatayañatakixa, mä capa de polímero hidrofílico ukhamaraki hidrofóbico ukanakaxa película anti reflectante ukan patapana ch’amanchatarakispawa. .

Proceso de Fabricación de Infrarrojo Anti Reflexivo ukaxa mä juk’a pachanakwa lurasi.
Proceso Tecnológico ukaxa 1.1.
The infrared anti reflection film is based on silicon and coated with anti reflection films on both sides of the substrate. The film system structure of the anti reflection film is independent of each other as (HL) ^ S, where H represents the Si layer, L represents the SiO layer, S represents the period of the HL basic structure, and the value of S is an integer between 3-6. The Si layer is adjacent to the substrate, and Aka capa SIO ukaxa jikxatasiwa aka pata tuqina. proceso de revestimiento ukaxa apnaqatarakiwa capa de película ukaxa sustrato ukaru uchañataki, ukaxa capa de película Sio ukampi capa de película exterior ukampi, ukaxa mä jach’a dureza superficial ukampi ukatxa janiwa mä capa protectora adicional ukampi munaskiti. yapxatataxa, SIO ukaxa mä índice de refracción superior ukampi juk’ampi jisk’achaspawa ukatxa juk’ampi jilxataspawa transmisión infrarada{4}

Proceso de fabricación de alta temperatura resistente CO 2 película anti reflexiva láser ukaxa mä juk’a pachanakwa lurasi.
Proceso Tecnológico ukaxa 1.1.
Material Pre Melting: Separado tratamiento pre fusión ukaxa luratarakiwa flúor de yttrium, fluoruro de calcio yttrium, ukhamaraki materiales de película de selenuro de zinc ukjamaraki materiales de película manqhana q’añunaka apsuñataki.
Aka capa de película de deposición: nayrïri capa de fluoruro de Yttrium, capa de fluoruro de calcio yttrium, capa de selenuro de zinc, ukhamaraki payïri capa de fluoruro de Yttrium ukaxa secuencialmente depositadas mä capa de sustrato de selenuro de zinc ukampi mä grueso 3 0.1mm por la superficie de evaporación por sapa mayni {4} uka cobertura de la cobertura de la cobertura de la cobertura Capa. Sapa capa ukatakix física thixni mayiwinakax akhamawa: nayrïr capa de fluoruro de yttrium ukan físico thixnipax 95-100 nanómetros; Aka capa de fluoruro de calcio ytterbium uksanxa física thixitapaxa 860-870 nanómetros; Uka zinc selenida capa ukan física thixnipax 240-250 nanómetros; Uka segunda capa de fluoruro de yttrium ukan física thixnipax 95-100 nanómetros satawa.
 

Tecnología ukan ventajanakapa .
The prepared anti reflection membrane has a simple structure and exquisite design. The four layer combination has the characteristics of high temperature resistance, high transmittance, firm membrane layer, complementary stress between membrane layers, and non rupture of membrane layers. It can meet the continuous operation of components under high temperature conditions, and the materials used in each layer are non radioactive, which will not cause damage to operators and the environment.